HardwareMemóriasMemoria Ram 8GB DDR4 2666MHz Kingston CL19 KVR26S19S8/8

Memoria Ram 8GB DDR4 2666MHz Kingston CL19 KVR26S19S8/8

Referência: 021329
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Sobre o Produto:

O DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia. Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%. Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

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O DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia. Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%. Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

Especificações
Cor
DDR4
Capacidade De Armazenamento
8GB
Marca
Kingston
Modelo
KVR26S19S8/8
Tipo
DDR4
Velocidade
2666 MHz
Aplicação
Notebook
RGB
Não
Pinagem
260-pin DIMM
Tensão
1.2V
Latência
19-19-19
Tempo do ciclo da linha (tRCmin)
45.75ns(min)
Atualizar para Ativo / Atualizar | Hora do comando (tRFCmin)
350ns(min)
Tempo ativo da linha (tRASmin)
32ns(min)
Potência operacional máxima
TBD W
Classificação UL
94V - 0
Temperatura de operação
0°C + 85°C
Temperatura de armazenamento
-55°C + 100°C
Conteúdo da Embalagem
01 Memória Kingston 8GB 2666Mhz
Garantia
06 Meses